Datasheet SI2333DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI2333DS-T1-GE3
![]() 33 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3Pin SOT-23 T/R | |||
SI2333DS-T1-GE3 Vishay | 44 ₽ | ||
SI2333DS-T1-GE3 Vishay | от 63 ₽ | ||
SI2333DS-T1-GE3 Vishay | 68 ₽ | ||
SI2333DS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -4.1 А
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On Resistance Rds(on): 25 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Power Dissipation Pd: 750 мВт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2333DST1GE3, SI2333DS T1 GE3