Datasheet SI2343DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 4 А, TO-236 — Даташит
Наименование модели: SI2343DS-T1-GE3
![]() 23 предложений от 10 поставщиков Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A | |||
SI2343DS-T1-GE3 Vishay | 9.64 ₽ | ||
SI2343DS-T1-GE3 Vishay | от 21 ₽ | ||
SI2343DS-T1-GE3 Vishay | от 56 ₽ | ||
SI2343DS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 4 А, TO-236
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -4 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 53 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2343DST1GE3, SI2343DS T1 GE3