HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI2343DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 4 А, TO-236 — Даташит

Vishay SI2343DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2343DS-T1-GE3

13 предложений от 6 поставщиков
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
AiPCBA
Весь мир
SI2343DS-T1-GE3
Vishay
17 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI2343DS-T1-GE3
Vishay
31 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2343DS-T1-GE3
Vishay
35 ₽
Akcel
Весь мир
SI2343DS-T1-GE3
Vishay
от 47 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 4 А, TO-236

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -4 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 53 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2343DST1GE3, SI2343DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2343DS-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -30 V, 4 A, TO-236

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России