Datasheet SI2351DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 3 А, TO-236 — Даташит
Наименование модели: SI2351DS-T1-E3
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 | |||
Si2351DS-T1-E3 Vishay | 11 ₽ | ||
SI2351DS-T1-E3 Vishay | 28 ₽ | ||
SI2351DS-T1-E3 Vishay | 29 ₽ | ||
SI2351DS-T1-E3 Siliconix | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 3 А, TO-236
Краткое содержание документа:
Si2351DS
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.115 at VGS = - 4.5 V 0.205 at VGS = - 2.5 V ID (A)a - 3.0 3.2 nC - 2.2 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -2.8 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.092 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-236
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
SI2351DST1E3, SI2351DS T1 E3