Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet SI2367DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 3.8 А — Даташит

Vishay SI2367DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2367DS-T1-GE3

35 предложений от 12 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AiPCBA
Весь мир
SI2367DS-T1-GE3
Vishay
10 ₽
Maybo
Весь мир
SI2367DS-T1-GE3
Vishay
33 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI2367DS-T1-GE3
36 ₽
Augswan
Весь мир
SI2367DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 3.8 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current, Id: -3.8 А
  • Drain Source Voltage, Vds: -20 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.066 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ: -0.4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2367DST1GE3, SI2367DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2367DS-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -20 V, 3.8 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка