HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI2367DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 3.8 А — Даташит

Vishay SI2367DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2367DS-T1-GE3

19 предложений от 8 поставщиков
P-Channel 20 V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
AiPCBA
Весь мир
SI2367DS-T1-GE3
Vishay
11 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2367DS-T1-GE3
Vishay
13 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI2367DS-T1-GE3
Vishay
20 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI2367DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 3.8 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current, Id: -3.8 А
  • Drain Source Voltage, Vds: -20 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.066 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ: -0.4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2367DST1GE3, SI2367DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2367DS-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -20 V, 3.8 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России