Datasheet SI2367DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 3.8 А — Даташит
Наименование модели: SI2367DS-T1-GE3
![]() 27 предложений от 11 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23 | |||
SI2367DS-T1-GE3 Vishay | 9.69 ₽ | ||
SI2367DS-T1-GE3 Vishay | от 24 ₽ | ||
SI2367DS-T1-GE3 Vishay | 31 ₽ | ||
SI2367DS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 3.8 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: -3.8 А
- Drain Source Voltage, Vds: -20 В
- On Resistance, Rds(on): 0.066 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -0.4 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2367DST1GE3, SI2367DS T1 GE3