Datasheet SI3407DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 8 А, TSOP-6 — Даташит
Наименование модели: SI3407DV-T1-GE3
![]() 37 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 8 А, 0.02 Ом, TSOP, Surface Mount | |||
SI3407DV-T1-GE3 Vishay | от 15 ₽ | ||
SI3407DV-T1-GE3 Vishay | от 28 ₽ | ||
SI3407DV-T1-GE3 Vishay | от 34 ₽ | ||
SI3407DV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 8 А, TSOP-6
Краткое содержание документа:
Si3407DV
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.0240 at VGS = - 4.5 V 0.0372 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 8.0a - 8.0a Qg (Typ.) 21 nC
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -8 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.02 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Количество выводов: 6
- Корпус транзистора: TSOP
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 4.2 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
SI3407DVT1GE3, SI3407DV T1 GE3