Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SI3407DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 8 А, TSOP-6 — Даташит

Vishay SI3407DV-T1-GE3

Наименование модели: SI3407DV-T1-GE3

37 предложений от 11 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 8 А, 0.02 Ом, TSOP, Surface Mount
Lixinc Electronics
Весь мир
SI3407DV-T1-GE3
Vishay
от 15 ₽
SI3407DV-T1-GE3
Vishay
от 28 ₽
SI3407DV-T1-GE3
Vishay
от 34 ₽
Augswan
Весь мир
SI3407DV-T1-GE3
Vishay
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 8 А, TSOP-6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si3407DV
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.0240 at VGS = - 4.5 V 0.0372 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 8.0a - 8.0a Qg (Typ.) 21 nC

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -8 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.02 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Количество выводов: 6
  • Корпус транзистора: TSOP
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 4.2 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SI3407DVT1GE3, SI3407DV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3407DV-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, 20 V, 8 A, TSOP-6

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка