Datasheet SI3433BDV-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 4.3 А, TSOP — Даташит
Наименование модели: SI3433BDV-T1-GE3
![]() 10 предложений от 9 поставщиков MOSFET 20V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V | |||
SI3433BDV-T1-GE3 Vishay | 26 ₽ | ||
SI3433BDV-T1-GE3 Vishay | от 1 149 ₽ | ||
SI3433BDV-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI3433BDV-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 4.3 А, TSOP
Краткое содержание документа:
Si3433BDV
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.042 at VGS = - 4.5 V - 20 0.057 at VGS = - 2.5 V 0.080 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 5.6 - 4.8 - 4.1
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -4.3 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 42 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3433BDVT1GE3, SI3433BDV T1 GE3