Datasheet SI3499DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 8 В, 7 А, TSOP — Даташит
Наименование модели: SI3499DV-T1-GE3
![]() 29 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6Pin TSOP T/R | |||
SI3499DV-T1-GE3 Vishay | 38 ₽ | ||
SI3499DV-T1-GE3 Vishay | от 71 ₽ | ||
SI3499DV-T1-GE3 Vishay | от 126 ₽ | ||
SI3499DV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 8 В, 7 А, TSOP
Краткое содержание документа:
Si3499DV
Vishay Siliconix
P-Channel 1.5 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.023 at VGS = - 4.5 V -8 0.029 at VGS = - 2.5 V 0.036 at VGS = - 1.8 V 0.048 at VGS = - 1.5 V ID (A) -7 - 6.2 - 5.2 -5 28 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -5.3 А
- Drain Source Voltage Vds: -8 В
- On Resistance Rds(on): 0.019 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Количество выводов: 6
- Корпус транзистора: TSOP
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
SI3499DVT1GE3, SI3499DV T1 GE3