Datasheet SI3851DV-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 1.8 А — Даташит
Наименование модели: SI3851DV-T1-GE3
5 предложений от 5 поставщиков P-ch TSOP-6 30V 200MOHM @ 10V W/ 0.5A Schottky Diode | |||
| SI3851DV-T1-GE3 Vishay | 26 ₽ | ||
| SI3851DV-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI3851DV-T1-GE3 | по запросу | ||
| SI3851DV-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 1.8 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel / Schottky Diode
- Continuous Drain Current, Id: 1.8 А
- Drain Source Voltage, Vds: -30 В
- On Resistance, Rds(on): 0.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: -10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3851DVT1GE3, SI3851DV T1 GE3
