Datasheet SI3867DV-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 5.1 А, TSOP — Даташит
Наименование модели: SI3867DV-T1-GE3
![]() 9 предложений от 6 поставщиков MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V | |||
SI3867DV-T1-GE3 Vishay | 54 ₽ | ||
SI3867DV-T1-GE3 Vishay | от 208 ₽ | ||
SI3867DV-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI3867DV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 5.1 А, TSOP
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -5.1 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 51 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3867DVT1GE3, SI3867DV T1 GE3