Datasheet SI4425BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI4425BDY-T1-GE3
![]() 33 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SI4425BDY-T1-GE3 | от 23 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-GE3 Vishay | 36 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-GE3 Vishay | от 48 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-GE3 Vishay | 213 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -11.4 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 19 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -400 мВ
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4425BDYT1GE3, SI4425BDY T1 GE3