Datasheet SI4463BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 13.7 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4463BDY-T1-GE3
![]() 29 предложений от 11 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay | 18 ₽ | ||
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay | от 134 ₽ | ||
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay | от 153 ₽ | ||
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay | от 155 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 13.7 А, SOIC
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 13.7 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -2.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4463BDYT1GE3, SI4463BDY T1 GE3