Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SI4463BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 13.7 А, SOIC — Даташит

Vishay SI4463BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4463BDY-T1-GE3

29 предложений от 11 поставщиков
Транзисторы - МОП-транзисторы
ChipWorker
Весь мир
SI4463BDY-T1-GE3
Vishay
18 ₽
ЭИК
Россия
SI4463BDY-T1-GE3
Vishay
от 134 ₽
SI4463BDY-T1-GE3
Vishay
от 153 ₽
SI4463BDY-T1-GE3
Vishay
от 155 ₽

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 13.7 А, SOIC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 13.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 20 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -2.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4463BDYT1GE3, SI4463BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4463BDY-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -20 V, 13.7 A, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка