Datasheet SI4825DY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 8.1 А, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4825DY-T1-E3
![]() 9 предложений от 8 поставщиков MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC | |||
SI4825DY-T1-E3 Vishay | 90 ₽ | ||
SI4825DY-T1-E3 | по запросу | ||
SI4825DY-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI4825DY-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 8.1 А, 8SOIC
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -8.1 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.012 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SOIC
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: -1.5 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4825DYT1E3, SI4825DY T1 E3