HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4825DY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 8.1 А, 8SOIC — Даташит

Vishay SI4825DY-T1-E3

Наименование модели: SI4825DY-T1-E3

8 предложений от 5 поставщиков
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
Akcel
Весь мир
SI4825DY-T1-E3
Vishay
от 54 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI4825DY-T1-E3
Vishay
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
SI4825DY-T1-E3
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4825DY-T1-E3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 8.1 А, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -8.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.012 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: -1.5 Вт
  • RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4825DYT1E3, SI4825DY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI4825DY-T1-E3 - Vishay MOSFET, P CH, 30 V, 8.1 A, 8SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России