Datasheet SI4834CDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4834CDY-T1-E3
Купить SI4834CDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 270 ₽ 9 предложений от 6 поставщиков Mosfet Array 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SOIC | |||
| SI4834CDY-T1-E3 Vishay | 48 ₽ | ||
| SI4834CDY-T1-E3 Vishay | 48 ₽ | ||
| SI4834CDY-T1-E3 Siliconix | по запросу | ||
| SI4834CDY-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Скачать Data SheetСпецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 22 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 8 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Rise Time: 10 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
- Voltage Vgs th Min: 0.8 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4834CDYT1E3, SI4834CDY T1 E3
