Datasheet SI4925BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит

Купить SI4925BDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 4 916 ₽ 32 предложений от 19 поставщиков Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8
ChipWorker Весь мир	SI4925BDY-T1-E3 Vishay	27 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI4925BDY-T1-E3 Vishay	101 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI4925BDY-T1-E3 Vishay	от 153 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SI4925BDY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4925BDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.025 at VGS = - 10 V 0.041 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 7.1 - 5.5

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.1 А
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On Resistance Rds(on): 25 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: -7.1 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SO-8
• Способ монтажа: SMD
• Rise Time: 12 нс
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI4925BDYT1E3, SI4925BDY T1 E3