Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206
Наименование модели: SI5435BDC-T1-GE3
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Si5435BDC
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 10 V 0.080 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 5.9 - 4.4
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: -5.9 А
- Drain Source Voltage, Vds: -30 В
- On Resistance, Rds(on): 0.08 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -3 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI5435BDCT1GE3, SI5435BDC T1 GE3
На английском языке: Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -30 V, 5.9 A, 1206
Экскурсия по огромной фабрике печатных плат: https://www.youtube.com/watch?v=_XCznQFV-Mw
МОП-транзистор 30V 5.9A 2.5W 45mohm @ 10V
| Поставщик | Производитель | Наименование | Цена |
|---|---|---|---|
| ПМ Электроникс | SI5435BDC-T1-GE3 | по запросу | |
| 5 элемент | Vishay | SI5435BDC-T1-GE3 | по запросу |
| T-electron | Vishay | SI5435BDC-T1-GE3 | по запросу |
| Электродеталь-Поставка | Vishay | SI5435BDC-T1-GE3 SOT23-8 | по запросу |
| МосЧип | Vishay | SI5435BDC-T1-GE3 | по запросу |
| Подробнее об условиях поставки » | |||
Рекомендуемые материалы по теме:
- Datasheet SQD30N05-20L -GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 30 А, TO-252
- Datasheet 2N7002K / T1 - Vishay Даташит Транзистор, полевой транзистор
- Datasheet MMBT2222A - Fairchild Даташит T-NPN SI- GEN PUR усилитель
- Datasheet MMBT2907A - Fairchild Даташит T-PNP SI- GEN PUR усилитель
- Datasheet 2N6727 - NTE Electronics Даташит T-PNP SI- MED мощность
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.
Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.
|
Срезы ↓
|
|