Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206 — Даташит
Наименование модели: SI5435BDC-T1-GE3
Купить SI5435BDC-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 62 ₽ 9 предложений от 6 поставщиков MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 | |||
SI5435BDC-T1-GE3 Vishay | от 13 ₽ | ||
SI5435BDC-T1-GE3 Vishay | 17 ₽ | ||
SI5435BDC-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI5435BDC-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206
Краткое содержание документа:
Si5435BDC
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 10 V 0.080 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 5.9 - 4.4
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: -5.9 А
- Drain Source Voltage, Vds: -30 В
- On Resistance, Rds(on): 0.08 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -3 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI5435BDCT1GE3, SI5435BDC T1 GE3