Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206 — Даташит

Vishay SI5435BDC-T1-GE3

Наименование модели: SI5435BDC-T1-GE3

10 предложений от 8 поставщиков
Труба MOS, Chip P-CH 30V 4.3A
ChipWorker
Весь мир
SI5435BDC-T1-GE3
Vishay
13 ₽
Maybo
Весь мир
SI5435BDC-T1-GE3
Vishay
527 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI5435BDC-T1-GE3
Vishay
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SI5435BDC-T1-GE3
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si5435BDC
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 10 V 0.080 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 5.9 - 4.4

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current, Id: -5.9 А
  • Drain Source Voltage, Vds: -30 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.08 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ: -3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5435BDCT1GE3, SI5435BDC T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -30 V, 5.9 A, 1206

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка