Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206 — Даташит

Vishay SI5435BDC-T1-GE3

Наименование модели: SI5435BDC-T1-GE3

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206

Краткое содержание документа:
Si5435BDC
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 10 V 0.080 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 5.9 - 4.4

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current, Id: -5.9 А
Drain Source Voltage, Vds: -30 В
On Resistance, Rds(on): 0.08 Ом
Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
Threshold Voltage, Vgs Typ: -3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5435BDCT1GE3, SI5435BDC T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -30 V, 5.9 A, 1206

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs

Купить SI5435BDC-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены

6 предложений от 6 поставщиков

MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

T-electron Россия и страны СНГ	SI5435BDC-T1-GE3 Vishay	по запросу
МосЧип Россия	SI5435BDC-T1-GE3 Vishay	по запросу
Электродеталь- Поставка Россия	SI5435BDC-T1-GE3 SOT23-8 Vishay	по запросу
ЭИК Россия	SI5435BDC-T1-GE3 Vishay	по запросу