» Datasheets » Полевые транзисторы

Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206

Наименование модели: SI5435BDC-T1-GE3

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 5.9 А, 1206

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si5435BDC
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 10 V 0.080 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 5.9 - 4.4

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current, Id: -5.9 А
• Drain Source Voltage, Vds: -30 В
• On Resistance, Rds(on): 0.08 Ом
• Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
• Threshold Voltage, Vgs Typ: -3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5435BDCT1GE3, SI5435BDC T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI5435BDC-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -30 V, 5.9 A, 1206

Рекомендуемые материалы по теме:

• Datasheet SQD30N05-20L -GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 30 А, TO-252
• Datasheet 2N7002K / T1 - Vishay Даташит Транзистор, полевой транзистор
• Datasheet MMBT2222A - Fairchild Даташит T-NPN SI- GEN PUR усилитель
• Datasheet MMBT2907A - Fairchild Даташит T-PNP SI- GEN PUR усилитель
• Datasheet 2N6727 - NTE Electronics Даташит T-PNP SI- MED мощность

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.