Datasheet SI5441BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 61 А, 1206 — Даташит
Наименование модели: SI5441BDC-T1-GE3
![]() 12 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, ChipFET-8P-CH 20V 4.4A 45mΩ | |||
SI5441BDC-T1-GE3 | 29 ₽ | ||
SI5441BDC-T1-GE3 Vishay | от 47 ₽ | ||
SI5441BDC-T1-GE3 Vishay | 79 ₽ | ||
SI5441BDCT1GE3 | 6 682 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 61 А, 1206
Краткое содержание документа:
Si5441BDC
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 4.5 V 0.052 at VGS = - 3.6 V 0.080 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 6.1 - 5.7 - 4.6 11.5 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 61 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 12 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI5441BDCT1GE3, SI5441BDC T1 GE3