Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet SI6433BDQ-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -12 В, 4.8 А, TSSOP — Даташит

Vishay SI6433BDQ-T1-GE3

Наименование модели: SI6433BDQ-T1-GE3

12 предложений от 9 поставщиков
Полевые транзисторы - Одиночные
AiPCBA
Весь мир
SI6433BDQ-T1-GE3
Vishay
35 ₽
Maybo
Весь мир
SI6433BDQ-T1-GE3
Vishay
91 ₽
SI6433BDQ-T1-GE3
Vishay
от 131 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI6433BDQ-T1-GE3
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -12 В, 4.8 А, TSSOP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si6433BDQ
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 12 RDS(on) () 0.040 at VGS = - 4.5 V 0.070 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 4.8 - 3.6

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current, Id: -4.8 А
  • Drain Source Voltage, Vds: -12 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.07 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ: -1.5 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI6433BDQT1GE3, SI6433BDQ T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI6433BDQ-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -12 V, 4.8 A, TSSOP

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка