Datasheet SI6433BDQ-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -12 В, 4.8 А, TSSOP — Даташит
Наименование модели: SI6433BDQ-T1-GE3
![]() 17 предложений от 11 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay | 88 ₽ | ||
SI6433BDQ-T1-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay | 219 ₽ | ||
SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -12 В, 4.8 А, TSSOP
Краткое содержание документа:
Si6433BDQ
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 12 RDS(on) () 0.040 at VGS = - 4.5 V 0.070 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 4.8 - 3.6
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: -4.8 А
- Drain Source Voltage, Vds: -12 В
- On Resistance, Rds(on): 0.07 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -1.5 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI6433BDQT1GE3, SI6433BDQ T1 GE3