Datasheet SI7119DN-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор, -200 В, 3.8 А, POWERPAK — Даташит
Наименование модели: SI7119DN-T1-GE3
![]() 29 предложений от 13 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт | |||
SI7119DN-T1-GE3 Vishay | 23 ₽ | ||
SI7119DN-T1-GE3 Vishay | 56 ₽ | ||
SI7119DN-T1-GE3 Vishay | от 71 ₽ | ||
SI7119DN-T1-GE3 Vishay | 79 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CH полевой транзистор, -200 В, 3.8 А, POWERPAK
Краткое содержание документа:
Si7119DN
Vishay Siliconix
P-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 200 RDS(on) () 1.05 at VGS = - 10 V 1.10 at VGS = - 6.0V ID (A) - 3.8e - 3.6e Qg (Typ.) 10.6 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3.8 А
- Drain Source Voltage Vds: -200 В
- On Resistance Rds(on): 1.1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -6 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -4 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7119DNT1GE3, SI7119DN T1 GE3