Datasheet SI7469DP-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -80 В, 28 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7469DP-T1-GE3
![]() 44 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, типа TrenchFET, P Канал, 80 В, 28 А, 0.021 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount | |||
SI7469DP-T1-GE3 | от 32 ₽ | ||
SI7469DP-T1-GE3 Vishay | от 87 ₽ | ||
SI7469DP-T1-GE3 Vishay | от 211 ₽ | ||
SI7469DP-T1-GE3 Vishay | от 224 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -80 В, 28 А, SOIC
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -28 А
- Drain Source Voltage Vds: -80 В
- On Resistance Rds(on): 29 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7469DPT1GE3, SI7469DP T1 GE3