Datasheet SI7485DP-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 20 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7485DP-T1-GE3
![]() 8 предложений от 8 поставщиков MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC | |||
SI7485DP-T1-GE3 Vishay | 31 ₽ | ||
SI7485DP-T1-GE3 Vishay | 114 ₽ | ||
SI7485DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7485DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 20 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si7485DP
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.0073 at VGS = - 4.5 V - 20 0.0090 at VGS = - 2.5 V 0.013 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 20 - 18 - 15
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -20 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 13 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 1.8 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7485DPT1GE3, SI7485DP T1 GE3