Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SI7485DP-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 20 А, SOIC — Даташит

Vishay SI7485DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7485DP-T1-GE3

8 предложений от 8 поставщиков
MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC
Maybo
Весь мир
SI7485DP-T1-GE3
Vishay
31 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7485DP-T1-GE3
Vishay
114 ₽
LifeElectronics
Россия
SI7485DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI7485DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 20 А, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7485DP
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.0073 at VGS = - 4.5 V - 20 0.0090 at VGS = - 2.5 V 0.013 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 20 - 18 - 15

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -20 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 13 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 1.8 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7485DPT1GE3, SI7485DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7485DP-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -20 V, 20 A, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка