Datasheet SI9407BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 60 В, 4.7 А, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: SI9407BDY-T1-GE3
![]() 35 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI9407BDY-T1-GE3 | от 12 ₽ | ||
SI9407BDY-T1-GE3 Vishay | 17 ₽ | ||
SI9407BDY-T1-GE3 Vishay | 24 ₽ | ||
SI9407BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 60 В, 4.7 А, 8SOIC
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -4.7 А
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 0.1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SOIC
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 5 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI9407BDYT1GE3, SI9407BDY T1 GE3