Datasheet SI9407BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 60 В, 4.7 А, 8SOIC — Даташит

Купить SI9407BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 142 ₽ 34 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	SI9407BDY-T1-GE3 Vishay	17 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI9407BDY-T1-GE3 Vishay	60 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SI9407BDY-T1-GE3 Vishay	85 ₽	Купить
Триема Россия	SI9407BDY-T1-GE3-VB	142 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 60 В, 4.7 А, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -4.7 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 0.1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: SOIC
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 5 Вт
• RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI9407BDYT1GE3, SI9407BDY T1 GE3