Источники питания Keen Side

Datasheet SIA417DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 12 А, SC-70 — Даташит

Vishay SIA417DJ-T1-GE3

Наименование модели: SIA417DJ-T1-GE3

10 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
727GS
Весь мир
SIA417DJ-T1-GE3
Vishay
от 24 ₽
AiPCBA
Весь мир
SIA417DJ-T1-GE3
Vishay
28 ₽
Maybo
Весь мир
SIA417DJ-T1-GE3
Vishay
84 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SIA417DJ-T1-GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 12 А, SC-70

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiA417DJ
Vishay Siliconix
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current, Id: -12 А
  • Drain Source Voltage, Vds: -8 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.095 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ: -1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIA417DJT1GE3, SIA417DJ T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIA417DJ-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -8 V, 12 A, SC-70

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка