Datasheet SIA419DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 12 А, SC-70 — Даташит
Наименование модели: SIA419DJ-T1-GE3
![]() 10 предложений от 9 поставщиков MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 | |||
SIA419DJ-T1-GE3 Vishay | от 27 ₽ | ||
SIA419DJ-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SIA419DJ-T1-GE3 Siliconix | по запросу | ||
SIA419DJ-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 12 А, SC-70
Краткое содержание документа:
SiA419DJ
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.030 at VGS = - 4.5 V 0.039 at VGS = - 2.5 V - 20 0.051 at VGS = - 1.8 V 0.066 at VGS = - 1.5 V 0.113 at VGS = - 1.2 V ID (A) - 12a - 12a - 12a - 12
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -12 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 113 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SIA419DJT1GE3, SIA419DJ T1 GE3