Datasheet SIA421DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 12 А, SC-70 — Даташит
Наименование модели: SIA421DJ-T1-GE3
![]() 29 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -35А; 12Вт | |||
SIA421DJ-T1-GE3 | от 11 ₽ | ||
SIA421DJ-T1-GE3 Vishay | от 69 ₽ | ||
SIA421DJ-T1-GE3 Vishay | от 83 ₽ | ||
SIA421DJ-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 12 А, SC-70
Краткое содержание документа:
SiA421DJ
Vishay Siliconix
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.035 at VGS = - 10 V 0.056 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 12a - 12a Qg (Typ.) 10 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: -12 А
- Drain Source Voltage, Vds: -30 В
- On Resistance, Rds(on): 0.056 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 20 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -3 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SIA421DJT1GE3, SIA421DJ T1 GE3