HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SIA421DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 12 А, SC-70 — Даташит

Vishay SIA421DJ-T1-GE3

Наименование модели: SIA421DJ-T1-GE3

13 предложений от 9 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -35А; 12Вт
AiPCBA
Весь мир
SIA421DJ-T1-GE3
Vishay
32 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIA421DJ-T1-GE3
Vishay
33 ₽
ЧипСити
Россия
SIA421DJ-T1-GE3
Vishay
110 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SIA421DJ-T1-GE3
Vishay
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 12 А, SC-70

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiA421DJ
Vishay Siliconix
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.035 at VGS = - 10 V 0.056 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 12a - 12a Qg (Typ.) 10 nC

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current, Id: -12 А
  • Drain Source Voltage, Vds: -30 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.056 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ: -3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIA421DJT1GE3, SIA421DJ T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIA421DJ-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -30 V, 12 A, SC-70

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России