Datasheet SIB457EDK-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 9 А — Даташит
Наименование модели: SIB457EDK-T1-GE3
Купить SIB457EDK-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 1 738 ₽ 14 предложений от 6 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт | |||
SIB457EDK-T1-GE3 Vishay | 27 ₽ | ||
SIB457EDK-T1-GE3 Vishay | 27 ₽ | ||
SIB457EDK-T1-GE3 Vishay | от 41 ₽ | ||
SIB457EDK-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 9 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: -9 А
- Drain Source Voltage, Vds: -20 В
- On Resistance, Rds(on): 0.035 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SIB457EDKT1GE3, SIB457EDK T1 GE3