Datasheet SI2307BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Купить SI2307BDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.16 до 142 ₽ 26 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3Pin SOT-23 T/R
AllElco Electronics Весь мир	SI2307BDS-T1-GE3	от 6.16 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI2307BDS-T1-GE3 Vishay	6.96 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI2307BDS-T1-GE3 Vishay	18 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI2307BDS-T1-GE3 Vishay	от 36 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2307BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.078 at VGS = - 10 V 0.130 at VGS = - 4.5 V ID (A)b - 3.2 - 2.5

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On State Resistance: 78 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Current Id Max: -2.5 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 750 мВт
• Rise Time: 12 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI2307BDST1GE3, SI2307BDS T1 GE3