Datasheet SI4559ADY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N/P, SO-8 — Даташит

Купить SI4559ADY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 675 ₽ 36 предложений от 15 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 60 В, 5.3 А, 0.046 Ом, SOIC, Surface Mount
ТМ Электроникс Россия	SI4559ADY-T1-E3 Vishay	от 127 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	SI4559ADY-T1-E3 Vishay	от 282 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SI4559ADY-T1-E3 Vishay	362 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI4559ADY-T1-E3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N/P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4559ADY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 60 - 60 RDS(on) () 0.058 at VGS = 10 V 0.072 at VGS = 4.5 V 0.120 at VGS = - 10 V 0.150 at VGS = - 4.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 5.3 4.7 - 3.9 - 3.5 6 nC 8 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Cont Current Id N Channel: 5.3 А
• Cont Current Id P Channel: 3.9 А
• Current Id Max: 4.3 А
• Температура перехода минимальная: 150°C
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 58 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 120 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 72 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 150 МОм
• Тип корпуса: SOIC-8
• Power Dissipation N Channel 2: 3.1 Вт
• Power Dissipation P Channel 2: 3.4 Вт
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 1 В
• Voltage Vgs th P Channel Max: 3 В
• Voltage Vgs th P Channel Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI4559ADYT1E3, SI4559ADY T1 E3