Datasheet SI2301BDS - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Купить SI2301BDS на РадиоЛоцман.Цены — от 3.52 до 49 ₽ 64 предложений от 32 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23
Триема Россия	SI2301BDS-T1-E3 Vishay	17 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	SI2301BDS-T1-E3-Q	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	SI2301BDS-TI MCC	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI2301BDS-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2301BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: -950 мВ
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 2.2 А
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: SI2301BDS
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V P Channel: 150 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 100 МОм
• On State Resistance Max: 100 МОм
• Выходная мощность: 700 мВт
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 700 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 700 мВт
• Pulse Current Idm: 10 А
• SMD Marking: L1
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -950 мВ
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: -0.95 В
• Voltage Vgs th Min: -0.45 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901