Datasheet SI2301BDS - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2301BDS
 Купить SI2301BDS на РадиоЛоцман.Цены — от 2.71 до 330 ₽62 предложений от 31 поставщиков Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.2... | |||
| Si2301BDS-HXY | 2.71 ₽ | ||
| SI2301BDS-T1-E3 Vishay | от 12 ₽ | ||
| SI2301BDS-T1-E3 Vishay | 48 ₽ | ||
| SI2301BDS-T1-E3B | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Si2301BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: -950 мВ
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 2.2 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: SI2301BDS
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V P Channel: 150 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 100 МОм
- On State Resistance Max: 100 МОм
- Выходная мощность: 700 мВт
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 700 мВт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 700 мВт
- Pulse Current Idm: 10 А
- SMD Marking: L1
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -950 мВ
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -0.95 В
- Voltage Vgs th Min: -0.45 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901
