Datasheet SI2309DS - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2309DS
![]() 30 предложений от 19 поставщиков Транзистор полевой P-канальный 60В 1.25A | |||
SI2309DS Rectron Semiconductor | от 19 ₽ | ||
SI2309DS/A92T | по запросу | ||
SI2309DS-T1 | по запросу | ||
SI2309DS Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.25 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 340 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -1.25 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: SI2309DS
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 340 МОм
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 8 А
- SMD Marking: A9
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901