Datasheet SI2315BDS - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Купить SI2315BDS на РадиоЛоцман.Цены — от 4.96 до 142 ₽ 41 предложений от 20 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23
ChipWorker Весь мир	SI2315BDS-T1 Vishay	8.06 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI2315BDS-T1-E3 Vishay	от 15 ₽	Купить
Триема Россия	SI2315BDS-T1-GE3	142 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI2315BDS-TI-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2315BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On State Resistance: 50 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: -900 мВ
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 3 А
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: SI2315BDS
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V P Channel: 65 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 50 МОм
• On State Resistance Max: 50 МОм
• Выходная мощность: 750 мВт
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 750 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 750 мВт
• Pulse Current Idm: 12 А
• SMD Marking: M5
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
• Voltage Vds: 12 В
• Voltage Vds Typ: -12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: -0.9 В
• Voltage Vgs th Min: -0.45 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901