Datasheet SI3447BDV - Vishay Даташит Полевой транзистор, P TSOP-6 — Даташит
Наименование модели: SI3447BDV
Купить SI3447BDV на РадиоЛоцман.Цены — от 9.86 до 59 ₽ 18 предложений от 15 поставщиков P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP | |||
| SI3447BDV-T1-GE3 Vishay | 9.86 ₽ | ||
| SI3447BDV-T1-GE3 Vishay | 10 ₽ | ||
| SI3447BDV-T1-E3-F | по запросу | ||
| SI3447BDV-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P TSOP-6
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Si3447BDV
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 12 В
- On State Resistance: 40 МОм
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 9.3nC
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 2.85 мм
- Внешняя длина / высота: 1.45 мм
- Внешняя ширина: 3 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 53 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 40 МОм
- Тип корпуса: TSOP
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 40 нс
- SMD Marking: B7xxx
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: -0.45 В
