HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4403BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Vishay SI4403BDY

Наименование модели: SI4403BDY

16 предложений от 13 поставщиков
P-Channel 20 V 7.3A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
ChipWorker
Весь мир
SI4403BDY-E3
Vishay
67 ₽
Akcel
Весь мир
SI4403BDY-T1-E3
Vishay
от 72 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SI4403BDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
ТаймЧипс
Россия
SI4403BDY-T1
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 7.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 17 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: -8 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -7.3 А
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 23 МОм
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 17 МОм
  • P Channel Gate Charge: 33nC
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 1.35 Вт
  • Pulse Current Idm: 30 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet SI4403BDY - Vishay MOSFET, P, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России