Datasheet SI4403BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4403BDY
![]() 20 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8Pin SOIC N T/R | |||
SI4403BDY-T1-E3 Vishay | 50 ₽ | ||
SI4403BDY-T1E3 Vishay | по запросу | ||
SI4403BDY-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI4403BDY-T1-E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, SO-8
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 17 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: -8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -7.3 А
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 23 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 17 МОм
- P Channel Gate Charge: 33nC
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.35 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5