Datasheet SI4425BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4425BDY
![]() 57 предложений от 29 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SI4425BDY-T1-E3 Vishay | 37 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-E3 Vishay | от 102 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-E3 Vishay | от 112 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-E3 Vishay | от 131 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4425BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 12 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -8.8 А
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 19 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 12 МОм
- P Channel Gate Charge: 64nC
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
- Pulse Current Idm: 50 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - WLK 5
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE932-01