Datasheet SI4539ADY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4539ADY
![]() 16 предложений от 14 поставщиков МОП-транзистор 30V 5.9/4.9A 2.0W 36/53mohm @ 10V | |||
SI4539ADY-T1-E3 Vishay | 24 ₽ | ||
SI4539ADY Vishay | 232 ₽ | ||
SI4539ADY | от 287 ₽ | ||
SI4539ADY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4539ADY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 36 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Cont Current Id P Channel: 3.7 А
- Current Id Max: 4.4 А
- N-channel Gate Charge: 13nC
- Количество транзисторов: 2
- On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 36 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 53 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 53 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 90 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 53 МОм
- P Channel Gate Charge: 15nC
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds N Channel 1: 30 В
- Voltage Vds P Channel 1: 30 В
- Voltage Vds P Channel Max: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5