Datasheet SI5447DC - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, 1206-8 — Даташит
Наименование модели: SI5447DC
11 предложений от 11 поставщиков P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFETTM,https://www.flash-turtle.com/product/product/download?url=VnU1V3ptQ3JZTU5PTEpIMFRKRkh4YzVOWGs4cFoybzN6cjllYjNTbG8vUjRadjVZOWZpbE8xNnB3NUY2cVYzUlVzUk9YNHVmUFlqaVdBNU9VRmNqUGM1QS9lQjIwT0pTMkVGUDkwSjBxUkU9,https://www.flash-turtle.com/productdetail/vishay-siliconix-si5447dc-t1-ge3-1995530 Vishay Siliconix SI6410DQ-T1-GE3 | |||
| SI5447DC-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
| Si5447DC-TI Vishay | по запросу | ||
| SI5447DC-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
| SI5447DC-T1 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, 1206-8
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 160 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: 1206
- Количество выводов: 8
- Альтернативный тип корпуса: ChipFET
- Current Id Max: -3.5 А
- On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 160 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 110 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 76 МОм
- P Channel Gate Charge: 6.5nC
- Тип корпуса: 1206-8 ChipFET
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
- Pulse Current Idm: 15 А
- SMD Marking: BG
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1.8 В
RoHS: есть
