HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI9433BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Vishay SI9433BDY

Наименование модели: SI9433BDY

33 предложений от 17 поставщиков
TRANSISTOR 4500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal
Akcel
Весь мир
SI9433BDY-T1
Vishay
от 10 ₽
ЧипСити
Россия
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay
31 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay
33 ₽
SI9433BDY-T1-E3
Vishay
от 86 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si9433BDY
New Product
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 40 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Voltage Vgs Max: -12 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -4.5 А
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 40 МОм
  • P Channel Gate Charge: 8.8nC
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
  • Pulse Current Idm: 20 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet SI9433BDY - Vishay MOSFET, P, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России