Datasheet SI9435BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI9435BDY
![]() 42 предложений от 26 поставщиков SI9435BDY-T1-E3 30В 4,1A SOIC N VISHAY транзистор | |||
SI9435BDY Vishay | 8.98 ₽ | ||
SI9435BDY-T1-E3 | от 9.83 ₽ | ||
SI9435BDY-T1-GE3 Vishay | 73 ₽ | ||
SI9435BDY-T1 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, SO-8
Краткое содержание документа:
Si9435BDY
New Product
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 42 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -4.1 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 70 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 42 МОм
- P Channel Gate Charge: 16nC
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5