Degson: клеммы, корпуса, источники питания

Datasheet SI1051X-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 1.2 А, SC-89 — Даташит

Vishay SI1051X-T1-GE3

Наименование модели: SI1051X-T1-GE3

Кремний
Россия и страны СНГ
SI1051X-T1-GE3
по запросу
ТаймЧипс
Россия
SI1051X-T1-GE3
Vishay
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
SI1051X-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SI1051X-T1-GE3
Vishay
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 1.2 А, SC-89

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1051X
Vishay Siliconix
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.122 at VGS = - 4.5 V -8 0.141 at VGS = - 2.5 V 0.168 at VGS = - 1.8 V 0.198 at VGS = - 1.5 V ID (A)a 1.2 1.1 0.60 0.50 Qg (Typ.)

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1051XT1GE3, SI1051X T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI1051X-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -8 V, 1.2 A, SC-89

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России