Datasheet SI5475DC - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, 1206-8 — Даташит
Наименование модели: SI5475DC
12 предложений от 9 поставщиков МОП-транзистор 12V 7.6A 2.5W 31mohm @ 4.5V | |||
| SI5475DC-T1-E3 Vishay | от 16 ₽ | ||
| SI5475DC-T1 | по запросу | ||
| SI5475DC-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI5475DC-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, 1206-8
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 12 В
- On State Resistance: 54 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -450 мВ
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: 1206
- Количество выводов: 8
- Альтернативный тип корпуса: ChipFET
- Current Id Max: 7.6 А
- On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 54 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 41 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 31 МОм
- P Channel Gate Charge: 19nC
- Тип корпуса: 1206-8 ChipFET
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- SMD Marking: BF
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ
- Voltage Vds: 12 В
- Voltage Vds Typ: -12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1.8 В
RoHS: есть
