Datasheet SI1012X-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.5 А, SC89 — Даташит

Vishay SI1012X-T1-E3

Наименование модели: SI1012X-T1-E3

Купить SI1012X-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены 11 предложений от 8 поставщиков МОП-транзистор 20V 0.6A
Akcel Весь мир	SI1012X-T1-E3 Vishay	от 101 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	SI1012X-T1-E3 Vishay	по запросу
ЗУМ-СМД Россия	SI1012X-T1-E3 Vishay	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	SI1012X-T1-E3	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.5 А, SC89

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1012R/X
Vishay Siliconix
N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.70 at VGS = 4.5 V 20 0.85 at VGS = 2.5 V 1.25 at VGS = 1.8 V ID (mA) 600 500 350

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 500 мА
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 1.25 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
Рассеиваемая мощность: 250 мВт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SC-89
Количество выводов: 3
Current Id Max: 500 мА
Тип корпуса: SC-89
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 20 В
Voltage Vgs Max: 900 мВ
Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1012XT1E3, SI1012X T1 E3