Datasheet SI2302CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить SI2302CDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.41 до 44 ₽ 49 предложений от 21 поставщиков N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.9A, TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):75mohm; Rds(on)...
Akcel Весь мир	SI2302CDS-T1-GE3 Vishay	от 3.41 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SI2302CDS-T1-GE3 Vishay	4.89 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI2302CDS-T1-GE3 Vishay	от 37 ₽	Купить
Контест Россия	SI2302CDS-T1-GE3 Siliconix	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2302CDS
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.057 at VGS = 4.5 V 0.075 at VGS = 2.5 V ID (A) 2.9 2.6 Qg (Typ.) 3.5

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 57 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
• Рассеиваемая мощность: 710 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 2.9 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SOT-23
• Rise Time: 7 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 850 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 0.85 В
• Voltage Vgs th Min: 0.4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2302CDST1GE3, SI2302CDS T1 GE3