Datasheet SI2306BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2306BDS-T1-E3
![]() 54 предложений от 24 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 4 А, 0.038 Ом, TO-236, Surface Mount | |||
SI2306BDS-T1-E3 Vishay | от 52 ₽ | ||
SI2306BDS-T1-E3 Vishay | от 94 ₽ | ||
SI2306BDS-T1-E3 | по запросу | ||
SI2306BDS-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
Si2306BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.047 at VGS = 10 V 0.065 at VGS = 4.5 V ID (A) 4.0 3.5 Qg (Typ.) 3.0
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 47 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3.16 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2306BDST1E3, SI2306BDS T1 E3