Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet SI2306BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Vishay SI2306BDS-T1-E3

Наименование модели: SI2306BDS-T1-E3

54 предложений от 22 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Зенер
Россия и страны ТС
SI2306BDS-T1-E3
Vishay
от 14 ₽
МосЧип
Россия
SI2306BDS-T1-E3C
по запросу
SI2306BDST1E3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI2306BDS-T1-E3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2306BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.047 at VGS = 10 V 0.065 at VGS = 4.5 V ID (A) 4.0 3.5 Qg (Typ.) 3.0

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 47 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 3.16 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 3 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2306BDST1E3, SI2306BDS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2306BDS-T1-E3 - Vishay MOSFET, N, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка