Datasheet SI2308BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 2.3 А, SOT23-3 — Даташит

Купить SI2308BDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.24 до 85 ₽ 52 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2.3 А, 0.13 Ом, TO-236, Surface Mount
ICdarom.ru Россия	SI2308BDS-T1-GE3-VB	от 10 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI2308BDS-T1-GE3 Vishay	25 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SI2308BDS-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Элитан Россия	SI2308BDS-T1-GE3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 2.3 А, SOT23-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si2308BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 130 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 1.9 А
• Power Dissipation Pd: 1.09 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CHEMTRONICS - CW8400
• MULTICORE (SOLDER) - 698840
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

SI2308BDST1GE3, SI2308BDS T1 GE3