Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet Vishay SI2312CDS-T1-GE3 — Даташит

ПроизводительVishay
СерияSi2312CDS
МодельSI2312CDS-T1-GE3
Datasheet Vishay SI2312CDS-T1-GE3

N-канальный МОП-транзистор 20 В (DS)

Datasheets

Datasheet Si2312CDS
PDF, 239 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 1 сен 2019, Страниц: 10
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Выписка из документа
Datasheet
PDF, 129 Кб
45 предложений от 18 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Эиком
Россия
SI2312CDS-T1-GE3
Vishay
от 28 ₽
SI2312CDS-T1-GE3
Vishay
по запросу
SI2312CDS-T1-GE3
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
SI2312CDS-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

  • Силовой МОП-транзистор TrenchFET®
  • 100% Rg проверено

Модельный ряд

Серия: Si2312CDS (1)
  • SI2312CDS-T1-GE3

Варианты написания:

SI2312CDST1GE3, SI2312CDS T1 GE3

На английском языке: Datasheet Vishay SI2312CDS-T1-GE3

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка