Datasheet SI2314EDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, TO-236 — Даташит
Наименование модели: SI2314EDS-T1-E3
![]() 31 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3Pin SOT-23 T/R | |||
SI2314EDS-T1-E3 Vishay | от 27 ₽ | ||
SI2314EDS-T1-E3 Vishay | 31 ₽ | ||
SI2314EDS-T1-E3 Siliconix | по запросу | ||
SI2314EDS-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, TO-236
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 33 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
- Рассеиваемая мощность: 750 мВт
- Корпус транзистора: TO-236
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 4.9 А
- Тип корпуса: TO-236
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 950 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2314EDST1E3, SI2314EDS T1 E3