Datasheet SI2318DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 3 А, SOT23-3 — Даташит
Наименование модели: SI2318DS-T1-E3
![]() 25 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт | |||
SI2318DS-T1-E3 Vishay | 11 ₽ | ||
SI2318DS-T1-E3 Vishay | 16 ₽ | ||
SI2318DS-T1-E3 Vishay | от 27 ₽ | ||
SI2318DS-T1-E3 Vishay | 155 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 3 А, SOT23-3
Краткое содержание документа:
Si2318DS
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.045 at VGS = 10 V 0.058 at VGS = 4.5 V ID (A) 3.9 3.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 36 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3 А
- Power Dissipation Pd: 750 мВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- MULTICORE (SOLDER) - 698840
- Roth Elektronik - RE901
Варианты написания:
SI2318DST1E3, SI2318DS T1 E3