Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SI2318DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 3 А, SOT23-3 — Даташит

Vishay SI2318DS-T1-E3

Наименование модели: SI2318DS-T1-E3

18 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2318DS-T1-E3
Vishay
19 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI2318DS-T1-E3
Vishay
19 ₽
SI2318DS-T1-E3
Vishay
от 40 ₽
Контест
Россия
SI2318DS-T1-E3
176 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 3 А, SOT23-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2318DS
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.045 at VGS = 10 V 0.058 at VGS = 4.5 V ID (A) 3.9 3.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 36 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 3 А
  • Power Dissipation Pd: 750 мВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840
  • Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

SI2318DST1E3, SI2318DS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2318DS-T1-E3 - Vishay MOSFET, N CH, 40 V, 3 A, SOT23-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России