Datasheet SI2334DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 4.9 А, диод, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2334DS-T1-GE3
![]() 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3 | |||
SI2334DS-T1-GE3 Vishay | 3.25 ₽ | ||
SI2334DS-T1-GE3 Vishay | 25 ₽ | ||
SI2334DS-T1-GE3 | 142 ₽ | ||
SI2334DS-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 4.9 А, диод, SOT23
Краткое содержание документа:
New Product
Si2334DS
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.035 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 4.2 А
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
Варианты написания:
SI2334DST1GE3, SI2334DS T1 GE3